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Gate Turn Off Thyristor ( リダイレクト:ゲートターンオフサイリスタ ) : ウィキペディア日本語版 | ゲートターンオフサイリスタ
ゲートターンオフサイリスタ(Gate Turn-Off thyristor:GTO)は、自己消弧素子の一種で、ゲートに逆方向の電流を流すことにより、ターンオフできる機能をもつサイリスタである。 == 構造 == サイリスタのカソード電極を多数の島に分割し、その周りをゲート電極で囲む構造にすることにより、負のゲート電流を流したときにアノード・カソード間のキャリア電流が引き抜かれやすくなるように改良したものと考えればよい。言い換えれば小電流のサイリスタが多数並列に接続されたものである。 一般のサイリスタを定格の10分の1程度で使用する領域ではGTOサイリスタのようにマイナスゲート信号でターンオフすることが可能である。
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「ゲートターンオフサイリスタ」の詳細全文を読む
英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Gate turn-off thyristor 」があります。
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